FBH

Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik

Das Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH) erforscht elektronische und optische Komponenten, Module und Systeme auf der Basis von Verbindungshalbleitern. Diese sind Schlüsselbausteine für Innovationen in den gesellschaftlichen Bedarfsfeldern Kommunikation, Energie, Gesundheit und Mobilität. Leistungsstarke und hochbrillante Diodenlaser, UV-Leuchtdioden und hybride Lasersysteme entwickelt das Institut vom sichtbaren bis zum ultravioletten Spektralbereich. Die Anwendungsfelder reichen von der Medizintechnik, Präzisionsmesstechnik und Sensorik bis hin zur optischen Satellitenkommunikation. In der Mikrowellentechnik realisiert das FBH hocheffiziente, multifunktionale Verstärker und Schaltungen, unter anderem für energieeffiziente Mobilfunksysteme, für die industrielle Sensorik sowie Komponenten zur Erhöhung der Kfz-Fahrsicherheit. Darüber hinaus entwickelt es Lasertreiber sowie kompakte atmosphärische Mikrowellenplasmaquellen mit Niederspannungsversorgung für vielfältige Anwendungen. Das FBH ist ein international anerkanntes Zentrum für III/V-Verbindungshalbleiter mit allen Kompetenzen: vom Entwurf, über die Fertigung bis hin zur Charakterisierung von Bauelementen.

 

Forschungsprogramm

Für Partner aus Forschung und Industrie entwickelt das FBH hochwertige Produkte und Services, die exakt auf individuelle Anforderungen zugeschnitten sind. Seinem internationalen Kundenstamm bietet es somit Know-how und Komplettlösungen aus einer Hand: vom Entwurf über lieferfähige Module bis hin zu industrietauglichen Prototypen.

Photonik

  • Hochleistungs-Diodenlaser: Breitstreifen & Barren
  • Hochbrillante & spektral schmalbandige Diodenlaser
  • Hybride Lasermodule (CW & gepulst): NIR bis UV-Spektralbereich, u.a. für Biophotonik, Lasersensorik, Lasermetrologie, Quantentechnologie, …
  • Nitrid-Laserdioden für den blauen & UV-Spektralbereich
  • Kurzwellige UV-Leuchtdioden, u.a. für Sensorik, Desinfektion, Medizin- und   Produktionstechnik, …

III/V-Elektronik

  • GaN-Mikrowellentransistoren & -MMICs
  • Neue Leistungsverstärkerkonzepte für die drahtlose Infrastruktur
  • Integrierte Schaltungen mit InP-HBTs für den Frequenzbereich 100…500 GHz (THz-Elektronik)
  • Schnelle Treiber für Laserdioden            
  • Kompakte Quellen für Mikrowellenplasmen
  • GaN-Leistungselektronik

III/V-Technologie

  • Epitaxie (MOVPE) von GaAs- & GaN-basierten Schichtstrukturen für Bauelemente
  • (Al)GaN-HVPE für Volumenkristalle
  • In-situ Kontrolltechniken bei MOVPE & HVPE
  • Komplette Prozesslinie 2" - 4" für GaAs-, InP-, SiC- & GaN-Bauelemente inklusive Lasermikrostrukturierung
  • InP HBT-Technologie für Millimeterwellen- & THz-Anwendungen, heterointegrierter SiGe-BiCMOS/InP-HBT-Foundryprozess mit dem IHP
  • Aufbau- & Verbindungstechnik
Direktor

Prof. Dr. Günther Tränkle

Tel. 030 6392-2600

E-Mail

Beschäftigte

292

Gesamtetat (in Mio. EUR)

37,5

Grundfinanzierung

14,5

Drittmittel

23,0

Stand: 31.12.2018

Adresse

Gustav-Kirchhoff-Str. 4, 12489 Berlin