Berufungen und Rufe am Weierstraß-Institut für Angewandte Analysis und Stochastik
Privatdozent Dr. Dietmar Hömberg, Leiter der Forschungsgruppe 4 "Nichtlineare Optimierung und inverse Probleme" am WIAS, hat einen Ruf auf eine C4-S-Professur an der Technischen Universität Berlin angenommen. Hömberg ist seit 1994 wissenschaftlicher Mitarbeiter am Weierstraß-Institut. Die Professur ist mit der Leitung der Forschungsgruppe am WIAS verbunden, Hömberg wird also weiterhin am Institut arbeiten.
Privatdozent Dr. Anton Bovier, Leiter der Forschungsgruppe 5 "Stochastische Systeme mit Wechselwirkung", ist ebenfalls zum C4-S-Professor berufen worden. Auch er wird an der TU Berlin lehren und am WIAS weiter die Forschungsgruppe 5 leiten.
Prof. Dr. Eberhard Bänsch, Leiter der Forschungsgruppe 3 "Numerische Mathematik und Wissenschaftliches Rechnen" hat einen Ruf auf eine C4-Professur an der Universität Konstanz erhalten.
Forschungspreisträger am Institut für Kristallzüchtung (IKZ)
Dr. Sauro Succi vom Istituto Applicazioni del Calcolo in Rom weilte für drei Wochen zu einem Forschungsaufenthalt am Institut für Kristallzüchtung. Dr. Succi hat in diesem Jahr einen Forschungspreis der Alexander-von-Humboldt-Stiftung bekommen, und die Gruppe "Numerische Modellierung" am IKZ ist zusammen mit dem Institut für Computeranwendungen im Bauingenieurwesen der Technischen Universität Braunschweig der Gastgeber.
Dr. Succi arbeitet auf unterschiedlichen Gebieten der Computerphysik. Insbesondere hat er sich in den letzten Jahren mit der Entwicklung Teilchen-basierter Modelle beschäftigt, um die Dynamik von komplexen Fluid-Systemen besser zu verstehen können.
Auf diesem Gebiet gibt es bereits seit längerem mit der Gruppe "Numerische Modellierung" eine Zusammenarbeit, die zur Entwicklung einer numerischen Methode zur Berechnung der Kinetik beim Kristallwachstum führte. Während des Forschungsaufenthaltes wurden Ideen zur Verbesserung der Methode bei der Anwendung auf das Zweikomponentensystem SiGe diskutiert und zum Teil umgesetzt. Die Mikrostrukturen, die bei der Czochralski-Züchtung von SiGe entstehen, sind für die spätere Anwendung in Monochromatoren von großer Wichtigkeit. Mit der nun weiter intensivierten Zusammenarbeit können noch bestehende Probleme bei der Durchführung von realistischen Rechnungen zur Kinetik der Mikrostrukturen von SiGe gemeinsam angegangen werden. Die Fortschritte und Ergebnisse sollen bei weiteren Forschungsaufenthalten von Dr. Succi diskutiert werden.
